如何确认flash读写是否安全呢？
Sep 21, 2022 18:57
三个问题：
1. 代码执行的flash和例程中的可写入读取的flash是一个flash么？为什么地址出入这么大？如果从map地址来看的话，似乎map的flash的地址区间已经超过了flash本身的最大地址范围
2. 另外，怎么找到哪些flash是可安全读写，用于用户配置的flash地址块呢？
3.我需要开辟200 byte用于用户配置的存储，在运行过程中偶尔会更新flash内容，更新之前必须要擦除么？
你好
1、是否说的sram的地址，有图片和具体工程吗，
2、Flash所有地址都能擦写，所以程序会在运行中对一些地址加入写保护，具体协议栈有分配给用户配置使用的区域
3、写之前会进行擦除，按照块擦除。
1. 是的，是sram地址：0x20000000~0x21000000【数据手册上给出的】，这个地址范围似乎超过了flash本身大小？
2. “具体协议栈有分配给用户配置使用的区域“ 这块有具体的说明么？还是不太清楚用户使用哪块flash是属于安全区域。目前只看到了例程使用了0x00d000
3. 写之前整个4k的块都必须要擦除么？比如我要写 0x00d000 ~ 0x00d022 的内容，那么整个 0x00d000~0x00dfff都需要擦除么？
1 你参考的是哪个手册，请前往wiki下载你使用芯片的数据手册（http://wiki.telink-semi.cn/wiki/chip-series/TLSR825x-Series/）
sram地址和ram大小相关的，地址起始偏移地址为0x840000,64kram,最大到0x850000.
2同样前往wiki下载对应协议栈，以及handbook，以BLE SDK为例，手册中注明了flash哪部分为用户使用的区域。
3，是的，写flash时，需要对自己数据做些保护。
我参考的是9218，我用的是9218芯片，不好意思哈，说漏了。
另外比较疑惑的是，除了烧写程序占用的flash，运行过程中会有分配flash给程序运行使用么？
关于第三点，我刚刚采用9218测试，发现可以不用擦除也能写入，这样做的风险是什么呢？